美股存储概念股集体上涨，闪迪、美光科技、西部数据等公司股价走高。市场传出存储芯片价格大幅上调的消息，受AI算力需求激增影响，全球DRAM市场出现供不应求态势。

据36氪报道，512GB存储芯片价格较上月上涨近500元。Counterpoint Research指出，今年以来内存价格已累计上涨50%，预计到2026年第二季度将再上涨约50%。

戴尔首席运营官杰夫·克拉克表示，高带宽内存、DRAM、硬盘及NAND闪存供应日益紧张，所有产品成本基础都在上升，公司可能调高部分设备定价。惠普CEO Enrique Lores称，2026年下半年将面临严峻挑战，必要时将提高价格，并正引入更多内存供应商以应对短缺。

联想集团董事长杨元庆表示，零部件短缺和价格上涨不会是短期现象，预计将持续整个2026年。AI基础设施投资推动终端设备发展，带动内存、闪存、固态硬盘需求剧烈增长。联想已与核心供应商签订最优合约，确保明年供应稳定。

小米集团总裁卢伟冰在业绩会上表示，当前内存价格上涨是长周期行为，主要由AI带来的HBM需求驱动，非传统行业波动所致。小米已签订2026年全年供应协议，未来可能通过涨价和产品结构升级缓解成本压力。

Counterpoint报告指出，传统LPDDR4供给趋紧，厂商将产能转向高端工艺，导致市场结构失衡。现货市场出现价格倒挂：消费电子用的DDR4价格达每千兆位2.10美元，高于先进HBM3e的1.70美元。

研究总监MS Hwang表示，三星或调整1C工艺产能分配，SK海力士正提升产量并上调销售目标，长鑫可能超预期表现，美光也不太可能继续按兵不动。2026年主要厂商DRAM产量预计将增长超20%。

当前短缺主要集中于传统产品端，影响使用LPDDR4的经济型智能手机。英伟达转向LPDDR用于低功耗设计，需求规模已达大型手机制造商水平，对供应链形成巨大冲击。

服务器传统依赖DDR ECC内存，现英伟达将纠错逻辑转移至CPU侧，减少对DDR5 ECC依赖。在此背景下，Counterpoint预测2025年一季度至2026年底，DDR5 64GB RDIMM模组价格将上涨两倍。

半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman称，过去一两个月需求激增，客户普遍采取双倍或三倍下单策略，抢购行为正在加剧且将持续升级。

彭博社报道，三星电子、SK海力士、美光科技股价近期大幅上涨。SK海力士表示明年全部内存芯片产能已售罄，美光预计供应紧张将持续至2026年。铠侠股票自去年12月上市以来上涨数倍，受益于紧张供应环境。

CLSA韩国证券研究主管Sanjeev Rana表示，无论是先进还是传统内存，均面临强劲需求而供应不足，DRAM和NAND价格上涨或将持续数个季度。

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